SJ 50597.38-1995 半导体集成电路.JM2148H型NMOS 1024×4位静态随机存取存储器详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.69 |
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20 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5962 SJ 50597/38-95,半导体集成电路,JM2148H 型 NMOS 1024x4 位,静态随机存取存储器,详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JM2148H,NMOS 1024 X 4 bit static random access memory,1996.06/4 发布 !996-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体集成电路,JM2148H型NMOS 1024x4位静态随机,存取存储器详细规范,SJ 50597/38-95,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JM2148H 1024 x 4 bit,static random access memory,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 JM 2148H型NMOS 1024 X4位静态随机存取存储器（以下简称器件）的详,细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和果购,1.3 分类,本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类,1.3.I 器件编号,器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定,1.3.1.1 器件型号,器件型号如下:,器件型号 ?器 件 名 称,JM2148H i NMOS 1024X4位静态随机存取存储器,1，3.1.2器件等级,器件等级应为GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B1级已,1.3.1.3 封装形式,封装形式应按GB/T 7092（半导体集成电路外形尺寸》的规定,封装形式如下:,类 型外形 代号,D D18S2,中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,—1 —,SJ 50597/38-95,1.4 绝对最大额定值,绝对电大额定值如下:,项 目符 号,数值,单 位,最 小最 大,任一端（对地）电压Vpc 7.5 7.0 V,贮存温度T蜗-65 150 V,功 耗母— 1200 mW,引线耐焊接温度GOs） Th — 3加V,结 温/ —— 150 t,输出电流/ロ— 20 mA,1.5 推荐工作条件,推荐エ件条件如下:,项 目符 号,Z,规 范 值,单位’,最 小最 大,电源电压Vcc 4.5 5.5 V,输入高电平电压2.0 vcc V,输入低电平电压Vil -1.0 0.8 V,壳 温員-55 125 t,读周期时间AVAX 70 」119,报址改变后输出保持时间5,20,一119,片选至低阻输出时间— I1S,未片选至高阻输出时间Eshqx 0 20 113,片选至电源上拉时间扌s】pu 0 一ns,片选至电源下拉时间一30 ns,片选至写终止时间;SLWH 65 — HJJ,地址有效至写终止时间以VWH 65 — ns,地址建立时间^AVWL 0 ns,写允许至高阻输岀时间篇0 25 na,写终止后输岀有效时间^WHQX 0 —— ns,2引用文件,GB 3431.1-82,GB 3431.2 —86,GB 3443 - 82,GB 4590 - 84,半导体集成电路文字符号电参数文字符号,半导体集成电路文字符号引出端功能符号,半导体集成电路MOS随机存取存储器测试方法的基本原理,半导体集成电路机械和气候试验方法,2,SJ 50597/38-95,GB/T 7092 - 93,GJB 548 - 88,GJB 597 - 88,GJB 1649 …93,SJ/Z 9015.2-87,半导体集成电路外形尺寸,微电子器件试聆方法和程序,微电路总规范,电子产品防静电放电控制大纲,半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 597和本规范的规定,本规范规定的级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和,要求上不同于B级器件,3.2 设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸应符合GJB 597和本规范的规定,3.2.］引出端排列和功能框图,引出端排列应符合图1（俯视图）的规定c功能框图见图2,A?,ゝ5,A4,ん,Ai,Ao,cs,GND,1,3,5,6,8,9,18,17,16,15,Vcc,A：,As,A?,10,13,11,I/Oi,I/O；,I/O〉,I/O4,WE,4,7 ロ,图1引出端排列,3,SJ 50597/38-95,列］/0电精,列译码等,行,泽,椚,器,存储器即列,64 乂 64,图2功能框图,3.2.2 功能测试,对本器件迸行的功能测试见本规范附录A匚,3.2.3 电路图,制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构存档备查C,3.2.4 能功表,功能表如下:,CS WE 模 式电 源输入/输出,H X 未选中推备髙阻态,L L 写工作数据输入,L H 读工作数据输出,注:H------高电平5,L-ー低电平i,X——任意态,3.2.5 封装形式,封装形式应符合本规范1.3. L3条的规定,4 -,SJ 50597/38-95,3.3 引线材料和涂覆,引线材料和涂覆应符合GJB 597第3.5.6条的规定,3.4 电特性,电特性应符合本规范表1的规定,表1电 特 性,特 性符号,条 件,若无其他规定,Tc= -55 .125C,GND = 0V,规 范 值,单位,最小最大,输入低电平电流,（所有输入端）,In. Vc……
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